致冷片也叫熱電半導體制冷組件，帕爾貼，制冷片等。
　　1.Peltier effect（帕爾帖效應）：
　　帕爾帖效應的論述很簡(jiǎn)單——當電流通過(guò)熱電偶時(shí)，其中一個(gè)結點(diǎn)散發(fā)熱而另一個(gè)結點(diǎn)吸收熱，這個(gè)現象由法國物理學(xué)家Jean Peltier在1834年發(fā)現。
　　2.P型半導體
　　半導體材料的一種形式。P型材料通過(guò)增加受主（acceptor）雜質(zhì)來(lái)形成，例如在硅上摻雜硼。
　　3.N型半導體
　　半導體材料的一種形式， N型材料通過(guò)對硅的晶體結構中加入施主雜質(zhì)（摻雜）——比如砷或磷——來(lái)得到。
　　半導體致冷器是由半導體所組成的一種冷卻裝置，於1960左右才出現，然而其理論基礎Peltier effect可追溯到19世紀。
　　通上電源之後，冷端的熱量被移到熱端，導致冷端溫度降低，熱端溫度升高，這就是著(zhù)名的Peltier effect 。這現象早期是在1821年，由一位德國科學(xué)家Thomas Seeback首先發(fā)現，不過(guò)他當時(shí)做了錯誤的推論，并沒(méi)有領(lǐng)悟到背後真正的科學(xué)原理。到了1834年，一位法國表匠，同時(shí)也是兼職研究這現象的物理學(xué)家 Jean Peltier，才發(fā)現背後真正的原因，這個(gè)現象直到近代隨著(zhù)半導體的發(fā)展才有了實(shí)際的應用，也就是[半導體致冷器]的發(fā)明。
　　半導體熱電偶由N型半導體和P型半導體組成。N型材料有多余的電子，有負溫差電勢。P型材料電子不足，有正溫差電勢；當電流從N型穿過(guò)結點(diǎn)至P型時(shí)，結點(diǎn)的溫度降低，其能量必然增加，而且增加的能量相當于結點(diǎn)所消耗的能量。相反，當電流從P型流至N型材料時(shí)，結點(diǎn)的溫度就會(huì )升高。
　　直接接觸的熱電偶電路在實(shí)際應用中不可用，實(shí)驗證明，在溫差電路中引入第三種材料（銅連接片和導線(xiàn)）不會(huì )改變電路的特性。
　　這樣，半導體元件可以用各種不同的連接方法來(lái)滿(mǎn)足使用者的要求。把一個(gè)P型半導體元件和一個(gè)N型半導體元件聯(lián)結成一對熱電偶，接上直流電源后，在接頭處就會(huì )產(chǎn)生溫差和熱量的轉移。
　　在上面的接頭處，電流方向是從N至P，溫度下降并且吸熱，這就是冷端；而在下面的一個(gè)接頭處，電流方向是從P至N，溫度上升并且放熱，因此是熱端。
　　因此是半導體致冷片由許多N型和P型半導體之顆?；ハ嗯帕卸?，而N／P之間以一般的導體相連接而成一完整線(xiàn)路，通常是銅、鋁或其他金屬導體，由兩片陶瓷片像夾心餅乾一樣夾起來(lái)，陶瓷片必須絕緣且導熱良好。